有機トランジスタ (OFET) 特別記事

テトラセンコアをπ拡張した新しいタイプのルブレン誘導体のOFET特性評価を行いました。蒸着法により作製した素子にてルブレンに匹敵する1.5×10^-3 cm²V-1s^-1の移動度が得られました。

ロット間の品質差異を最小化した高純度品なパラセキシフェニル（6P）[S0220]を販売しています。真空蒸着により成膜した6Pによる上層の有機半導体膜のモルフォロジー改善とOFET素子の高性能化を実証しました。さらに、6P以外のオリゴフェニレン系化合物でも同様の高性能化を確認しています。

Ph-BTBT-10 のアルキル鎖長の異なる類縁体Ph-BTBT-n (n = 4, 6, 8, 12)を新製品化しました。短いアルキル鎖ほど高い溶解性，長いアルキル鎖ほど高い移動度を示します。

高秩序な分子集積膜を形成する三脚型トリプチセン“Trip-C12を新製品化しました。有機トランジスタの絶縁層上に成膜することで素子性能を向上することを確認しました。

高性能S字型有機半導体材料“S-DNTT-10”を新製品化しました。社内装置を用いてOFET素子の作製と性能評価を行っています。電気物性と大気安定性に優れ，蒸着および塗布どちらの素子作製プロセスにも適用可能です。

"Ph-BTBT-10 [D5491]"について，弊社内で行うOFET素子作製と性能評価だけでなく，SPring-8にて二次元微小角入射X線回折(2D-GIXD)による蒸着膜の薄膜構造解析を実施しました。当詳細は，公益財団法人 高輝度光科学研究センター(JASRI) のウェブサイトでSPring-8産業利用成果として特集されています。

極めて高純度な"オクタデシルトリクロロシラン (ODTS) (>99.0%) [T3815]"を新製品化しました。社内装置を用いた実験によって，ODTSの純度とOFETデバイスの特性の相関を調査し，当高純度ODTSを用いて作製したデバイスが従来品のODTS (>85%) [O0079]を用いたデバイスよりも高移動度を示すことを明らかにしました。

弊社製品の“高純度ペンタセン (99.999%) [P2524]" および他社製の各種ペンタセンを使用し，OFET素子の作製と性能比較を行いました。P2524を用いて作製した素子より，最大でホール移動度 μ = 1.52 cm²/Vs が得られています。

弊社製品のうち，高分子p型半導体材料“P3HT [P2513]”を使用し，OFET素子の作製と性能評価を行いました。作製した素子より，最大でホール移動度 μ = 0.1 cm²/Vs が得られています。

弊社製品のうち，高性能p型半導体材料“Ph-BTBT-10 [D5491]”を使用し，OFET素子の作製と性能評価を行いました。作製した素子より，最大でホール移動度 μ = 14.0 cm²/Vs が得られています。

弊社製品のうち，代表的p型半導体材料“ペンタセン [P2524]”を使用し，OFET素子の作製と性能評価を行いました。作製した素子より，最大でホール移動度 μ = 1.52 cm²/Vs が得られています。

弊社製品のうち，高い移動度と大気安定性を併せ持つp型半導体材料“DPh-BTBT [D3526]”を使用し，OFET素子の作製と性能評価を行いました。作製した素子より，最大でホール移動度 μ = 3.5 cm²/Vs が得られています。