システムメンテナンスのお知らせ 2025年1月5日(日) 午前7:30 ～ 午後5:00：当時間帯は当ウェブサイトがご利用いただけません。ご不便をおかけして申し訳ありませんがご理解のほどよろしくお願いいたします。
年末年始のお知らせ：2024年12月28日 (土) より 2025年1月5日 (日) は休業いたします。
TCIメール最新号No.197｜パスワード付き圧縮ファイルの利用廃止に関するお知らせ｜※ その他のお知らせ・更新情報（2024.12.23更新）
Maximum quantity allowed is 999
注文本数を選んでください。
CAS RN: 135-48-8 | 製品コード: P2524
Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation) [for organic electronics]
×
![]()
×
![Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation) [for organic electronics]](/_ui/responsive/theme-tci/images/missing_product_zoom.jpg "Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation) [for organic electronics]")
| 包装単位 | 価格 | 埼玉県(川口)倉庫 | 兵庫県(尼崎)倉庫 | その他の倉庫 |
出荷情報
|
|---|---|---|---|---|---|
| 100MG |
¥5,800
|
9 | 10 | お問い合わせ | |
| 1G |
¥37,800
|
13 | 15 | ≥80 |
・埼玉県倉庫、兵庫県倉庫の在庫は即日、その他の倉庫の在庫は2～3営業日程度で埼玉県倉庫より出荷となります。
埼玉県倉庫、兵庫県倉庫からの配送対象エリア
は各々異なります。納期に関するご質問は営業部までお問い合わせください。 ［本社営業部］Tel: 03-3668-0489 ［大阪営業部］Tel: 06-6228-1155
・表示している価格は本体価格で、消費税等は含まれていません。表示している本体価格は最新のものとなり、価格は予告なく変更する場合があります。
・最大包装単位の20倍以上の量をご入用の場合は、「大量製造見積依頼」ボタンをクリックし専用フォームでお問い合わせください。一部の製品についてはご希望に添えない場合もありますので、予めご了承ください。
・弊社では常に保管条件を最適化するための見直しを行っています。最新の製品保管条件はホームページ上に記載されたものとなりますので、ご了承ください。
製品補足情報:
この製品は，ペンタセン (昇華精製品)（製品コード：P0030）の代替品です。
詳しくは，FET評価の詳細ページあるいは，本ページ下部にある「利用例」のタブ，リーフレットをご覧ください。
この製品を使った有機トランジスタ(OFET)素子における半導体において，
ホール移動度(μFET)：0.35 cm2/Vs以上 (Si/SiO2 bare基板)であることを確認しています。
＜特性評価条件＞
● 素子構造：トップコンタクト型素子
[Sin++ / SiO2 (200 nm) / P2524 (60 nm) / Au (60 nm)]
● 基板表面処理：無
● 素子作製法：蒸着法
(Channel L = 50 μm , W = 1.5 mm)
● 測定条件：窒素雰囲気下
● 移動度(μFET)：飽和電流領域にて次式より算出
ID = (WCi /2L)μFET(VG - VTh)2
P2524とP0030の違いは以下のようになります。
製品コードP2524（本製品）：Pentacene (99.999%, trace metals basis) (purified by sublimation)
＜規格値＞
金属不純物合計: 10.0 ppm以下
ホール移動度(μFET): 0.35 cm2/Vs以上(bare Si/SiO2 substrate)
製品コードP0030：Pentacene (purified by sublimation)
＜規格値＞
TOF-MS: 試験適合
規格表
| 外観 | 灰色～濃い紫色～黒色粉末～結晶 |
| 金属不純物合計 | 10.0 ppm以下 |
| ﾎｰﾙ移動度(μFET) | 0.35 cm2/Vs以上(bare Si/SiO2 substrate) |
物性値（参考値）
| 極大吸収波長 | 577(Toluene) nm |
| 水への溶解性 | 不溶 |
| HOMO準位 | -4.9 eV |
GHS
法規情報
輸送情報
利用例
有機電界効果トランジスタ(OFET)
n-Octyltrichlorosilane (OTS)[O0168]を用いて基板表面に自己組織化単分子膜 (Self-Assembled Monolayer: SAM)を修飾し、得られた基板からPentacene [P2524]のトランジスタ素子作製及び特性評価を行ったところ、大幅なFET特性の向上が観測されました（図1）。
＜OFET特性（自社装置使用）＞ Tsub: rt, Hole Mobility:1.05 - 1.52 (cm2/Vs), VTH: -5.7(V), on/off ratio: 1.5 × 107
＜OFET特性（自社装置使用）＞ Tsub: rt, Hole Mobility:1.05 - 1.52 (cm2/Vs), VTH: -5.7(V), on/off ratio: 1.5 × 107
bare基板のXRD解析において、ペンタセン分子のface-on配向に帰属可能なピーク(黒矢印)が観測されました (図2)。これが電荷輸送の大きな障壁となり、移動度の低下を起こしたと考えられます（図3a）。それに対し、OTS処理した素子ではそのようなピークは観測されませんでした(図2)。したがって、OTS処理した素子では理想的な薄膜相が形成され、結果FET性能の大幅な向上に繋がったと考えられます(図3b)
本研究の薄膜X線構造解析 (XRD: SmartLab) は，文部科学省委託事業ナノテクノロジープラットフォームに参画する東京大学微細構造解析プラットフォームの支援を受けて実施されました。
PubMed Literature
記事/パンフレット
TCIメール
[TCIメール No.174] 代表的なp型半導体材料“ペンタセン”[有機トランジスタ] 昇華精製による高純度化とFET特性比較：ペンタセン
[有機トランジスタ] 代表的p型半導体材料“ペンタセン”の性能評価
[有機トランジスタ] 有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：ペンタセン
製品書類 （分析チャートがご提供できない場合もありますので予めご了承ください。）
SDS
言語を選択してください。
SDSが見つかりません。
お手数ですが，こちらの フォーム よりお問い合わせください。
規格表
試験成績書・各種証明書検索
ロット番号を入力してください
ロット番号が正しくありません。ハイフン(-)前の4～5桁の半角英数字のみ入力してください。
サンプル試験成績書
試験成績書のサンプルがダウンロードできます。サンプルは必ずしも最新ロットの結果を示すものではありません。
本製品の試験成績書のサンプルは現在ご用意しておりません。
分析チャート
ロット番号を入力してください
ロット番号が正しくありません。ハイフン(-)前の4～5桁の半角英数字のみ入力してください。
大変申し訳ありません。お探しの分析チャートはご提供することができません。ご不便をおかけして誠に申し訳ございません。
