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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：ペンタセン
Pentacene
(99.999%, trace metals basis)
(purified by sublimation )
CAS RN: 135-48-8
製品コード: P2524
ペンタセン [P2524] のOFET素子性能評価
表. ペンタセン [P2524]を用いたOFET素子特性
| Entry | Fabrication Method | Device Configuration | SAM Treatment | Tsub (°C) | Polarity | μ (cm2 V−1 s−1) | Vth (V) | Ion/Ioff |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Entry1 | Fabrication MethodVacuum deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM Treatmentw/o Bare |
Tsub (°C)RT | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)0.33 | Vth (V)‒15 | Ion/Ioff105 |
| Entry2 | Fabrication MethodVacuum deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentOTS | Tsub (°C)RT | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)1.2 | Vth (V)‒7.0 | Ion/Ioff106 |
伝達特性（飽和領域）および出力特性
実験詳細
ペンタセン [P2524]を用いたOFET素子の作製および評価
＜基板＞
＜自己組織化単分子膜(SAM) 処理＞
＜真空蒸着＞
＜素子構造＞
＜測定環境＞
＜基板＞
- Bare Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)
- OTS処理 Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)
＜自己組織化単分子膜(SAM) 処理＞
- n-Octyltrichlorosilane (OTS) [O0168 ]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80ºC, 2時間)
- 超音波洗浄(イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理OTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
＜真空蒸着＞
- ペンタセン [P2524 ]の蒸着レート: 0.1 Å/s, (真空度 ∼10−5 Pa)
- 蒸着時の基板温度: RT
- Auの蒸着レート: 0.3 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
＜素子構造＞
- [n+-Si/SiO2 (200 nm) / ペンタセン [P2524 ] (60 nm) / Au (60 nm)]
- トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
- チャンネル長: 50 μm
- チャンネル幅: 1.5 mm
＜測定環境＞
- 窒素雰囲気下
- 電界効果移動度 (μ) は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出
ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2