溶液プロセスによる高分子薄膜トランジスタの作製が可能な光反応性クロスリンカー

4-アジド-2,3,5,6-テトラフルオロ安息香酸(1)はマテリアルサイエンス分野やライフサイエンス分野において，光反応性クロスリンカーとして用いられています。1から誘導された光反応性分子はUV照射によりナイトレンを生成し，対象化合物と共有結合します¹⁾。
一般に有機電子デバイスは熱や圧力に不安定なことが多く，簡便で温和な条件でデバイスを製造する方法が望まれていました^2,3)。これに対しChoらのグループは，1を部分構造に有する光反応性クロスリンカー4Bxが，溶液プロセスによる高分子薄膜トランジスタの作製に有用であることを報告しました⁴⁾。4Bxは電子材料と混和し，UV照射するだけで電子材料を基板上に保持することができます。さらに彼らはこの手法を用い，有機半導体，ゲート絶縁体，および導体の薄膜パターンを形成しました。電子部品層は溶媒に対する高い耐性を有するため，積層することも可能です。そのため，光反応性クロスリンカーを用いた溶液プロセスによる薄膜トランジスタの開発の進展が期待されます。