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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：5T
![5T [Q0079]](/structure-300/Q0079.jpg)
α-Quinquethiophene
5T
CAS RN: 5660-45-7
製品コード: Q0079
5T [Q0079]のOFET素子性能評価
![5T [Q0079] を用いたデバイス作製法・構造](/assets/cms-images/Q0079-device-method-structure-en.png)
表. 5T [Q0079]を用いたOFET素子特性
| Entry | Fabrication Method | Device Configuration | SAM Treatment | Tsub (°C) | Polarity | μ (cm2 V−1 s−1) | Vth (V) | Ion/Ioff |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Entry1 | Fabrication MethodVacuum deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM Treatmentw/o Bare | Tsub (°C)RT | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)3.0 × 10-2 | Vth (V)-1.4 | Ion/Ioff103 |
図．伝達特性（飽和領域）
実験詳細
5T [Q0079]を用いたOFET素子の作製および評価
＜基板＞
＜真空蒸着＞
＜素子構造＞
＜測定環境＞
＜基板＞
- Bare Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)
＜真空蒸着＞
- 5T [Q0079]の蒸着レート: 0.25 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
- 蒸着時の基板温度: RT
- Auの蒸着レート: 1.5 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
＜素子構造＞
- [n+-Si/SiO2 (200 nm) / 5T [Q0079] (60 nm) / Au (40 nm)]
- トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
- チャンネル長: 50 μm
- チャンネル幅: 1.5 mm
＜測定環境＞
- 窒素雰囲気下
- 電界効果移動度 (μ) は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出
ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2