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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：Fullerene C60
![Fullerene C60 (purified by sublimation) [for organic electronics] [F1232]](/structure-300/F1232.jpg)
Fullerene C60 (purified by sublimation) [for organic electronics]
CAS RN: 99685-96-8
製品コード: F1232
Fullerene C60 [F1232]のOFET素子性能評価
![Fullerene C60 [F1232] を用いたデバイス作製法・構造](/assets/cms-images/F1232-device-method-structure-en.png)
表. Fullerene C60 [F1232]を用いたOFET素子特性
| Entry | Fabrication Method | Device Configuration | SAM Treatment | Tsub (°C) | Polarity | μ (cm2 V−1 s−1) | Vth (V) | Ion/Ioff |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Entry1 | Fabrication MethodVacuum Deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentHMDS | Tsub (°C)RT | Polarityn | μ (cm2 V−1 s−1)0.27 | Vth (V)18.8 | Ion/Ioff106 |
| Entry2 | Fabrication MethodVacuum Deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentOTS | Tsub (°C)RT | Polarityn | μ (cm2 V−1 s−1)0.51 | Vth (V)16.1 | Ion/Ioff106 |
図．伝達特性（飽和領域）
実験詳細
Fullerene C60 [F1232]を用いたOFET素子の作製および評価
＜基板＞
＜自己組織化単分子膜(SAM) 処理＞
＜真空蒸着＞
＜素子構造＞
＜測定環境＞
＜基板＞
- HMDS処理Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)
- OTS処理 Si/SiO2基盤 (SiO2膜厚：200 nm)
＜自己組織化単分子膜(SAM) 処理＞
- 1,1,1,3,3,3-Hexamethyldisilazane (HMDS) [H0089]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80 ºC, 2時間)
- 超音波洗浄 (イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理HMDS (16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
- n-Octyltrichlorosilane (OTS) [O0168]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80 ºC, 2時間)
- 超音波洗浄 (イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理OTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
＜真空蒸着＞
- Fullerene C60 [F1232]の蒸着レート: 0.15 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
- 蒸着時の基板温度: RT
- Auの蒸着レート: 0.2 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
＜素子構造＞
- [n+-Si/SiO2 (200 nm) / Fullerene C60 [F1232] (40 nm) / Au (40 nm)]
- トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
- チャンネル長: 50 μm
- チャンネル幅: 1.5 mm
＜測定環境＞
- 窒素雰囲気下
- 電界効果移動度 (μ) は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出
ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2