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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価:trans-DBPen
Dibenzo[a,l]pentacene
trans-DBPen
CAS RN: 227-09-8
製品コード: D5488
trans-DBPen [D5488]のOFET素子性能評価
表. trans-DBPen [D5488]を用いたOFET素子特性
Entry | Fabrication Method | Device Configuration | SAM Treatment | Tsub (°C) | Annealing Temp.a (°C) | Polarity | μ (cm2 V−1 s−1) | Vth (V) | Ion/Ioff |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Entry1 | Fabrication MethodVacuum deposition |
Device ConfigurationTCBG | SAM Treatmentw/o Bare |
Tsub (°C)60 | Annealing Temp.a (°C)120 | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)0.16 | Vth (V)‒19 | Ion/Ioff106 |
Entry2 | Fabrication MethodVacuum deposition |
Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentOTS | Tsub (°C)60 | Annealing Temp.a (°C)120 | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)0.44 | Vth (V)‒9.8 | Ion/Ioff107 |
Entry3 | Fabrication MethodVacuum deposition |
Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentODTS | Tsub (°C)60 | Annealing Temp.a (°C)120 | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)0.19 | Vth (V)‒6.1 | Ion/Ioff106 |
![図. 伝達特性(飽和領域)](/assets/cms-images/D5488-transfer-curves-en.png)
図.伝達特性(飽和領域)
実験詳細
trans-DBPen [D5488]を用いたOFET素子の作製および評価
<基板>
<自己組織化単分子膜(SAM) 処理>
<真空蒸着>
<ポストアニーリング>
<素子構造>
<測定環境>
<基板>
- Bare Si/SiO2 (SiO2膜厚:200 nm)
- OTS処理Si/SiO2基板 (SiO2膜厚:200 nm)
- ODTS処理Si/SiO2基板 (SiO2膜厚:200 nm)
<自己組織化単分子膜(SAM) 処理>
- n-Octyltrichlorosilane (OTS) [O0168]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80ºC, 2時間)
- 超音波洗浄(イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理OTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
- n-Octyltrichlorosilane (ODTS) [T3815]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80ºC, 2時間)
- 超音波洗浄(イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理ODTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
<真空蒸着>
- trans-DBPen [D5488]の蒸着レート: 0.3 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
- 蒸着時の基板温度: 60 °C
- Auの蒸着レート: 0.7 Å/s
<ポストアニーリング>
- アニール条件: 120 ºC, 5 min, N2
<素子構造>
- [n+-Si/SiO2 (200 nm) / trans-DBPen [D5488] (60 nm) / Au (40 nm)]
- トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
- チャンネル長: 50 μm
- チャンネル幅: 1.5 mm
<測定環境>
- 窒素雰囲気下
- 電界効果移動度(μ)は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出しました
ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2