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蒸着法および塗布法でデバイス作製が可能な高移動度n型有機半導体
No.184(2020/08発行)
- T3922
- TU-1 [for organic electronics] (1)
- （※この製品は販売終了しました。）
- T3924
- TU-3 [for organic electronics] (2)
- （※この製品は販売終了しました。）
ベンゾビスチアジアゾール骨格を有するTU-1 (1), TU-3 (2)は，高い電子移動度を示すn型有機半導体材料です(図 1)。1は真空蒸着プロセスと塗布プロセスを用いて，2は塗布プロセスを用いたデバイス作製がそれぞれ可能で，適切なp型半導体材料との組み合わせによる高性能な相補型回路への応用も報告されています1-3)。真空蒸着法にて作製した1のトランジスタデバイスとスピンコート法にて作製した2は，どちらも1 cm2/Vsを超える電子移動度が実測されています(図 2a，2b)。
図 1. 1と2の構造式
図 2. (a) 1および(b) 2を用いたOFETデバイスの移動度曲線（弊社にて測定）
文献
- 1) A Unique Solution-Processable n-Type Semiconductor Material Design for High-Performance Organic Field-Effect Transistors
- 2) Fabrication of Ultra-Thin Printed Organic TFT CMOS Logic Circuits Optimized for Low-Voltage Wearable Sensor Applications
- 3) Printed Organic Complementary Inverter with Single SAM Process Using a p-type D-A Polymer Semiconductor
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また，地域等によって販売製品が異なります。製品詳細ページが表示されない場合は，販売は行っておりませんのでご了承ください。
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