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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：Ph-BTBT-10
![Ph-BTBT-10 [D5491]](/structure-300/D5491.jpg)
2-Decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene
[for organic electronics]
Ph-BTBT-10
CAS RN: 1398395-83-9
製品コード: D5491
Ph-BTBT-10 [D5491]のOFET素子性能評価
![Ph-BTBT-10 [D5491]のOFET素子性能評価](/assets/cms-images/D5491-device-method-structure-en.png)
表. Ph-BTBT-10[D5491]を用いたOFET素子特性
| Entry | Fabrication Method | Device Configuration | SAM Treatment | Tsub(°C) | Annealing Temp.a(°C) | Polarity | μ (cm2 V−1 s−1) | Vth (V) | Ion/Ioff |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Entry1 | Fabrication MethodVacuum deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM Treatmentw/o Bare |
Tsub(°C)60 | Annealing Temp.a(°C)120 | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)6.1 | Vth (V)‒12 | Ion/Ioff106 |
| Entry2 | Fabrication MethodVacuum deposition | Device ConfigurationTCBG | SAM TreatmentODTS | Tsub(°C)60 | Annealing Temp.a(°C)120 | Polarityp | μ (cm2 V−1 s−1)12.0 | Vth (V)‒22 | Ion/Ioff107 |
図. 伝達特性（飽和領域）
実験詳細
Ph-BTBT-10 [D5491]を用いたOFET素子の作製及び評価
＜基板＞
＜自己組織化単分子膜(SAM) 処理＞
＜真空蒸着＞
＜ポストアニーリング＞
＜素子構造＞
＜測定環境＞
＜基板＞
- Bare Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)
- ODTS処理Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)
＜自己組織化単分子膜(SAM) 処理＞
- n-Octyltrichlorosilane (ODTS) [T3815]
- エッチング処理 (H2SO4:H2O2=4:1, 80ºC, 2時間)
- 超音波洗浄 (イオン交換水, アセトン, IPA, 各10分間)
- 蒸気洗浄 (IPA, 3分間)
- UV/O3 処理 (1時間)
- 浸漬処理ODTS溶液 (0.01 M トルエン, 16時間, N2)
- 超音波洗浄 (トルエン, アセトン, IPA, 各10分間)
＜真空蒸着＞
- Ph-BTBT-10 [D5491]の蒸着レート: 0.1 Å/s (真空度 ∼10−5 Pa)
- 蒸着時の基板温度: 60 °C
- Auの蒸着レート:0.2 Å/s (真空度 ∼10−5 Pa)
＜ポストアニーリング＞
- アニール条件: 120 ºC, 5 min, N2
＜素子構造＞
- [n+-Si/SiO2 (200 nm) / Ph-BTBT-10 [D5491] (40 nm) / Au (40 nm)]
- トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
- チャンネル長: 50 μm
- チャンネル幅: 1.5 mm
＜測定環境＞
- 窒素雰囲気下
- 電界効果移動度（μ）は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出しました
ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2