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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：DPA

D5152

2,6-Diphenylanthracene (purified by sublimation)
DPA
CAS RN: 95950-70-2
製品コード: D5152

DPA [D5152] のOFET素子性能評価

2,6-ジフェニルアントラセン [D5152]の素子作製法・構造



表. DPA [D5152]を用いたOFET素子特性

Entry Fabrication Method Device Configuration SAM Treatment Tsub (°C) Polarity μ (cm2 V−1 s−1) Vth (V) Ion/Ioff
Entry1 Fabrication MethodVacuum deposition Device ConfigurationTCBG SAM Treatmentw/o
Bare		 Tsub (°C)50 Polarityp μ (cm2 V−1 s−1)0.34 Vth (V)‒12 Ion/Ioff106

伝達特性（飽和領域）および出力特性
伝達特性（飽和領域）および出力特性

実験詳細

DPA [D5152]を用いたOFET素子の作製および評価

＜基板＞
  • Bare Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)

＜真空蒸着＞
  • DPA [D5152]の蒸着レート: 0.3 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
  • 蒸着時の基板温度: 50 °C
  • Auの蒸着レート: 1.0 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)

＜素子構造＞
  • [n+-Si/SiO2 (200 nm) / DPA [D5152] (50 nm) / Au (40 nm)]
  • トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
  • チャンネル長: 50 μm
  • チャンネル幅: 1.5 mm

＜測定環境＞
  • 窒素雰囲気下
  • 電界効果移動度 (μ) は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出
    ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)2

本実験に使用したTCI製品

D5152 2,6-Diphenylanthracene (purified by sublimation)

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