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有機トランジスタ(OFET)素子作製および評価：8-QTP-8

8-QTP-8 [D4877]

5,5'''-Di-n-octyl-2,2':5',2'':5'',2'''-quaterthiophene
8-QTP-8
CAS RN: 882659-01-0
製品コード: D4877

8-QTP-8 [D4877]のOFET素子性能評価

8-QTP-8 [D4877] を用いたデバイス作製法・構造



表. 8-QTP-8 [D4877]を用いたOFET素子特性

Entry Fabrication Method Device Configuration SAM Treatment Tsub (°C) Polarity μ (cm2 V−1 s−1) Vth (V) Ion/Ioff
Entry1 Fabrication MethodVacuum deposition Device ConfigurationTCBG SAM Treatmentw/o
Bare		 Tsub (°C)RT Polarityp μ (cm2 V−1 s−1)0.11 Vth (V)‒7.0 Ion/Ioff104
 
図. 伝達特性（飽和領域）および出力特性

図．伝達特性（飽和領域）および出力特性


実験詳細

8-QTP-8 [D4877]を用いたOFET素子の作製および評価

＜基板＞
  • Bare Si/SiO2 (SiO2膜厚：200 nm)

＜真空蒸着＞
  • 8-QTP-8 [D4877]の蒸着レート: 0.3 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)
  • 蒸着時の基板温度: RT
  • Auの蒸着レート: 0.8 Å/s, (真空度 ∼10−4 Pa)

＜素子構造＞
  • [n+-Si/SiO2 (200 nm) / 8-QTP-8 [D4877] (60 nm) / Au (40 nm)]
  • トップコンタクト・ボトムゲート型 (TCBG)
  • チャンネル長: 50 μm
  • チャンネル幅: 1.5 mm

＜測定環境＞
  • 窒素雰囲気下
  • 電界効果移動度（μ）は伝達特性の飽和領域にて下記式により算出しました
    ID = (W/2L) μ Ci (VG − Vth)

本実験に使用したTCI製品

D4877 8-QTP-8

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