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CAS RN: 1398395-83-9 | Numéro de produit: D5491

2-Decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene [for organic electronics]

Thumbnail of 2-Decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene [for organic electronics]
  • Chemical Structure of 2-Decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene [for organic electronics]
Chemical Structure of 2-Decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene [for organic electronics]
× 2-Decyl-7-phenyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene [for organic electronics]

Pureté: >99.5%(HPLC)
Synonymes
  • Ph-BTBT-C10
  • 2-Decyl-7-phenylbenzo[b]benzo[4,5]thieno[2,3-d]thiophene
  • Ph-BTBT-10
Documents de produit:
SDS | Spécifications | CoA et autres Certificats | Graphiques analytiques

Informations générales | Spécifications et Propriétés | Sécurité et Réglementaire | Applications & Litterature

Informations supplémentaires sur le produit

Notes explicatives de cette page

100MG
$142.00
 6   1   ≥100 
Simulation d'expédition
250MG
$266.00
 2   Expédié de Philadelphie le jour même* ≥100 
Simulation d'expédition
1G
$796.00
 1   Expédié de Philadelphie le jour même* ≥80 
Simulation d'expédition

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*TCI révise régulièrement les conditions de stockage afin de les optimiser. Veuillez noter que les informations les plus récentes sur la température de stockage des produits sont disponibles sur notre site web.

Informations supplémentaires sur le produit:

[Solubility (Reference data)]
Toluene： 3.5 mmol/L
Anisole： 2.9 mmol/L
Chlorobenezene： 4.9 mmol/L

For more information, please refer to the FET evaluation page, the tab [Application] below, or a leaflet.

Numéro de produit D5491
Pureté / Méthode d'analyse >99.5%(HPLC)
Formule moléculaire / poids moléculaire C__3__0H__3__2S__2 = 456.71 
Etat physique (20 ° C) Solid
Condition de stockage Room Temperature (Recommended in a cool and dark place, <15°C)
Condition à éviter Light Sensitive
Emballage Et Conteneur 1G-Glass Bottle with Plastic Insert (Voir l'image) ,  250MG-Glass Bottle with Plastic Insert (Voir l'image)
CAS RN 1398395-83-9
Numéro de registre de Reaxys 28465162
Identifiant de la substance PubChem 468591369
Spécifications
Appearance White to Light yellow powder to crystal
Purity(HPLC) min. 99.5 area%
Hole Mobility(mu FET) min. 10.0 cm2/Vs(ODTS Si/SiO2 substrate)
Propriétés
Point de fusion 225 °C
Niveau HOMO -5.7 eV
SGH
Lois connexes:
Informations de transport:
Numéro du SH (importation) (TCI-A) 2934.99.4400
Application
Organic Field-Effect Transistor (OFET)

Organic Field-Effect Transistor (OFET)

The field-effect mobility of Ph-BTBT-10 was measured using the top-contact thin-film field-effect transistors geometry (Figure 1). The thin film of Ph-BTBT-10 as the active layer (40 nm) was vacuum-deposited onto Si/SiO2 substrate (bare) or ODTS (octadecyl trichlorosilane [O0079])-treated Si/SiO2 substrate while heating the substrate. The drain and source electrodes (40 nm) then were prepared by gold evaporation through a shadow mask on top of the Ph-BTBT-10 film; the drain-source channel length (L) and width (w) are 50 µm and 1.5 mm, respectively. After deposition, these devices are thermal annealed at Tsub = 120 °C for 5 min under the ambient conditions, and the characteristics of the OFET devices were measured.

Figure 1. Illustration for the device structure of Ph-BTBT-10-based OFETs

Figure 1. Illustration for the device structure of Ph-BTBT-10-based OFETs
The performances of the OFET devices are summarized in Table 1 and Figure 2. All Ph-BTBT-10-based devices exhibited pure typical p-channel field-effect transistor (FET) characteristics. The FET mobilities were quite dependent on the thermal annealing treatment regardless of the self-assemble-monolayer (SAM) (Figure 2). This would be attributed to the phase transition from a monolayer to a bilayer crystal structure in the thin-film form.
The device fabricated on the bare substrate demonstrated good performance with a hole carrier mobility of 4.86 cm2/Vs and threshold voltage (Vth) of -8 V. Moreover, although Vth increased, the ODTS-treated devise showed the highest transport performance with a hole carrier mobility of 14.0 cm2/Vs. These results indicate that Ph-BTBT-10 can be handled through vacuum deposition methods, and it is a promising p-type OFET material possessing highly superior hole mobility. We demonstrated the top-ranked FET performances via vacuum deposition process using our in-house equipment.

Figure 2. Transfer curves of the Ph-BTBT-10-based OFET devices

Figure 2. Transfer curves of the Ph-BTBT-10-based OFET devices
(a) w/o annealing (bare)　 (b) annealing 120 °C, 5min (bare)
(c) w/o annealing (ODTS)　 (d) annealing 120 °C, 5min (ODTS)


Table 1. OFET characteristics of the Ph-BTBT-10-based devices

Table 1. OFET characteristics of the Ph-BTBT-10-based devices

References


Documents

Articles de produit
[TCIMAIL No.178] High-performance Liquid Crystalline Semiconductor Material: Ph-BTBT-10
[Organic Transistor] A ultra-high performance p-type semiconductor material "Ph-BTBT-10"
[Organic Transistor] Fabrication and Evaluation of Organic Field-Effect Transistors (OFETs) : Ph-BTBT-10
Documents de produit (Note : Pour certains produits, les tableaux analytiques ne sont pas disponibles.)
Fiche de sécurité (FDS)
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Spécifications
CoA et autres Certificats
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Graphiques analytiques
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Autres documents

Produits connexes

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